Bilgi Paketi
baskent.edu.tr

Biyomedikal Mühendisliği Programı (İngilizce)

BENG224

ELEKTRONİK I

Ders Kodu
BENG224
Yarıyıl
Dördüncü Yarıyıl (Bahar)
Teori+Uygulama
3 + 2
AKTS
5
Dersin TürüZorunlu
Dersin DüzeyiLisans
Dersin Yılı2
Dersin YarıyılıDördüncü Yarıyıl (Bahar)
AKTS5
Öğretim Eleman(lar)ı -
Öğrenme Kazanımları

Bu dersin sonunda öğrenciler;

  1. Elektronik teknolojisinde kullanılan malzemeleri tanır.
  2. Diyot, yapısı, çeşitleri, kullanım alanları, uygulama devreleri hakkında bilgi sahibi olur.
  3. BJT, JFET ve MOSFET transistörlerin yapılarını, çalışma alanlarını devre modellerini öğrenir ve bu tür devrelerin analizlerini yapabilir.
  4. BJT, JFET ve MOSFET li devrelerin tasarımlarını yapabilir.
  5. Deneylerle kuramsal bilgilerini doğrulayabilir.
Veriliş BiçimiYüz Yüze
ÖnkoşullarVar( BENG220)
Önerilen DerslerNo
Ders TanımıBu derste, Temel katı-hal ilkelerine giriş: pn kesişim, kesişim öngerilimleme, atomik teori, Diyot modelleri ve özellikleri, Diyot uygulamaları, Diyot devreleri, bu devrelerin analiz yöntemleri ve modelleri, Pratik diyot uygulamaları, Çift kutuplu kesişim transistörleri (BJT), taşıyıcı profilleri, dahili akım modelleri, BJT öngerilimleme devreleri, BJT yükselteçinin analiz ve dizaynı, BJT yükselteçinin durağanlığı, Transistör anahtarlama devreleri, Transistör testleri, FET, JFET ve MOSFET transistörler, bu transistörler için öngerilimleme, devre modelleri, devre analizleri ve devre dizaynları, BJT ve FET devrelerinin birleştirilmesi, konuları anlatılır.
Ders İçeriği
HAFTA KONULAR
1. Hafta Atomun yapısı, özellikleri, iletken, yalıtkan, yarı iletkenler, P ve N tipi maddeler, PN birleşimi, Diyotlar
2. Hafta Diyot, yapısı, çalışması, özellikleri, AA, DA direnci, yük doğrusu analizi, Seri-paralel diyot devreleri
3. Hafta Diyot Uygulamaları: doğrultucular, kırpıcılar, kenetleyiciler
4. Hafta Diyot Uygulamaları: voltaj çoklayıcılar, zener diyotlar
5. Hafta BJT transistör, CB, CE, CC karekteristikleri, yükseltme işlemi
6. Hafta BJT transistör öngerilimleme devreleri
7. Hafta BJT transistör yük doğrusu, çalışma durumları, anahtarlama elemanı olarak kullanılması
8. Hafta ARASINAV
9. Hafta BJT küçük sinyal modeli
10. Hafta BJT yükselteç küçük sinyal analizi
11. Hafta Fet transistör, karekteristik eğrileri ve öngerilimleme devreleri
12. Hafta Mosfet transistör, karekteristik eğrileri ve öngerilimleme devreleri
13. Hafta FET, MOSFET küçük sinyal modeli ve bu yükselteçlerin analizi
14. Hafta Yük ve kaynak direncinin etkileri ve çok katlı yükselteçler
KaynaklarElectronic Devices and Circuit Theory, R.L. Boylestad, L.Nashelsky, Prentice Hall

Introduction to biomedical equipment technology,Carr,J.J., Brown, J.M., Pren. Hall.

Electronics fundamentals: circuits, devices, and applications, Floyd, Thomas L., Macmillan Publishing
Öğretim Yöntemleri
  • Anlatım
  • Sorun/Problem Çözme
  • Soru-Cevap
  • Deney
Değerlendirme
Sayısı Toplam Katkısı (%)
Ara Sınav 1 30
Mini-Sınav 3 10
Uygulama/Pratik 10 20
Toplam(%) 60
Yıl İçinin Başarıya Oranı(%) 60
Finalin Başarıya Oranı(%) 40
Toplam(%) 100
DilTürkçe
Staj / UygulamaYok

Program Yeterlilikleri / Öğrenme Kazanımları

Ö1 Ö2 Ö3 Ö4 Ö5
P1 X X X X X
P2 X X X X
P3 X X X
P4
P5 X
P6
P7
P8
P9
P10
P11