| Dersin Türü | Zorunlu |
|---|
| Dersin Düzeyi | Lisans |
|---|
| Dersin Yılı | 2 |
|---|
| Dersin Yarıyılı | Dördüncü Yarıyıl (Bahar) |
|---|
| AKTS | 5 |
|---|
| Öğretim Eleman(lar)ı |
- |
| Öğrenme Kazanımları |
Bu dersin sonunda öğrenciler;
- Elektronik teknolojisinde kullanılan malzemeleri tanır.
- Diyot, yapısı, çeşitleri, kullanım alanları, uygulama devreleri hakkında bilgi sahibi olur.
- BJT, JFET ve MOSFET transistörlerin yapılarını, çalışma alanlarını devre modellerini öğrenir ve bu tür devrelerin analizlerini yapabilir.
- BJT, JFET ve MOSFET li devrelerin tasarımlarını yapabilir.
- Deneylerle kuramsal bilgilerini doğrulayabilir.
|
| Veriliş Biçimi | Yüz Yüze |
|---|
| Önkoşullar | Var( BME220) |
|---|
| Önerilen Dersler | Yok |
|---|
| Ders Tanımı | Temel katı-hal ilkelerine giriş: pn kesişim, kesişim öngerilimleme, atomik teori. Diyot modelleri ve özellikleri. Diyot uygulamaları. Diyot devreleri, bu devrelerin analiz yöntemleri ve modelleri. Pratik diyot uygulamaları. Çift kutuplu kesişim transistörleri (BJT), taşıyıcı profilleri, dahili akım modelleri, BJT öngerilimleme devreleri. BJT yükselteçinin analiz ve dizaynı. BJT yükselteçinin durağanlığı. Transistör anahtarlama devreleri. Transistör testleri. FET, JFET ve MOSFET transistörler, bu transistörler için öngerilimleme, devre modelleri, devre analizleri ve devre dizaynları. BJT ve FET devrelerinin birleştirilmesi. (Önkoşul: BME 211). |
|---|
| Ders İçeriği |
| HAFTA |
KONULAR |
|
1. Hafta |
Atomun yapısı, özellikleri, iletken, yalıtkan, yarı iletkenler, P ve N tipi maddeler, PN birleşimi, Diyotlar |
|
2. Hafta |
Diyot, yapısı, çalışması, özellikleri, AA, DA direnci, yük doğrusu analizi, Seri-paralel diyot devreleri |
|
3. Hafta |
Diyot Uygulamaları: doğrultucular, kırpıcılar, kenetleyiciler |
|
4. Hafta |
Diyot Uygulamaları: voltaj çoklayıcılar, zener diyotlar |
|
5. Hafta |
BJT transistör, CB, CE, CC karekteristikleri, yükseltme işlemi |
|
6. Hafta |
BJT transistör öngerilimleme devreleri |
|
7. Hafta |
BJT transistör yük doğrusu, çalışma durumları, anahtarlama elemanı olarak kullanılması |
|
8. Hafta |
ARASINAV |
|
9. Hafta |
BJT küçük sinyal modeli |
|
10. Hafta |
BJT yükselteç küçük sinyal analizi |
|
11. Hafta |
Fet transistör, karekteristik eğrileri ve öngerilimleme devreleri |
|
12. Hafta |
Mosfet transistör, karekteristik eğrileri ve öngerilimleme devreleri |
|
13. Hafta |
FET, MOSFET küçük sinyal modeli ve bu yükselteçlerin analizi |
|
14. Hafta |
Yük ve kaynak direncinin etkileri ve çok katlı yükselteçler |
|
| Kaynaklar | Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky Electronic devices and Circuit Theory/ 9E, 2008 Prentice Hall
Electronic Fundamentales, Floyd, T.L. Macmillan Pub
|
|---|
| Öğretim Yöntemleri |
- Anlatım
- Sunum
- Deney
- Soru-Cevap
- Rapor Hazırlama
|
|---|
| Değerlendirme |
|
Sayısı |
Toplam Katkısı (%) |
| Ara Sınav |
1 |
25 |
| Mini-Sınav |
5 |
15 |
| Uygulama/Pratik |
10 |
20 |
| Toplam(%) |
|
60 |
| Yıl İçinin Başarıya Oranı(%) |
|
60 |
| Finalin Başarıya Oranı(%) |
|
40 |
| Toplam(%) |
|
100 |
|
| Dil | Türkçe |
|---|
| Staj / Uygulama | Yok |
|---|
