Bilgi Paketi

Elektrik-Elektronik Mühendisliği Programı (İngilizce)

EEE214

ELEKTRONİK I

Ders Kodu
EEE214
Yarıyıl
Dördüncü Yarıyıl (Bahar)
Teori+Uygulama
3 + 3
AKTS
7
Dersin TürüZorunlu
Dersin DüzeyiLisans
Dersin Yılı2
Dersin YarıyılıDördüncü Yarıyıl (Bahar)
AKTS7
Öğretim Eleman(lar)ı
Öğrenme Kazanımları

Bu dersin sonunda öğrenciler;

  1. Diyot ve doğrultucu devrelerinin karakteristiklerini analiz eder ve ilgili devre çözümlerini yapar.
  2. BJT ve FET (JFET, MOSFET) transistörlerin çalışma prensiplerini açıklar ve DC kutuplama analizlerini gerçekleştirir.
  3. Küçük sinyal eşdeğer modellerini kullanarak BJT ve FET tabanlı yükselteç devrelerinin AC analizini yapar; kazanç ve empedans parametrelerini hesaplar.
  4. Belirlenmiş DC ve AC kriterlere uygun olarak transistörlü temel elektronik devreleri tasarlar.
  5. Laboratuvar ortamında deneysel çalışmalar yürüterek teorik bilgileri doğrular, verileri analiz eder ve sonuçları raporlar.
Veriliş BiçimiYüz Yüze
ÖnkoşullarVar( EEE201)
Önerilen DerslerMAT151, MAT152, MAT210
Ders TanımıAtomun yapısı, yarıiletken maddeler, P ve N tipi madde, Diyotlar, diyot uygulamaları, Zener diyot, Temel düzengeç devreleri, Diğer diyot çeşitleri, BJT transistörlerin yapısı, özellikleri, CE, CB, CC yükselteç devreleri ve öneğilimleme, BJT transistörlerde küçük sinyal modeli, kazanç, giriş-çıkış empedansları, FET türleri, yapıları, özellikleri, FET yükselteç devreleri ve öneğilimleme, FET transistörlerde küçük sinyal modeli, kazanç, giriş-çıkış empedansları, Mikroelektronik yaklaşımla yükselteç devreleri, Akım kaynak devreleri ve transistörleri akım kaynaklarıyla öneğilimleme, İşlemsel yükselteç iç yapısı.
Ders İçeriği
HAFTA KONULAR
1. Hafta Yarıiletken Malzemeler, n-tipi ve p-tipi Yarıiletkenler
2. Hafta Yarıiletken Diyotlar
3. Hafta Yarım Dalga ve Tam Dalga Doğrultucular
4. Hafta Kırpıcı (Clipper) ve Kenetleyici (Clamper) Devreler
5. Hafta Zener Diyotlar ve Uygulamaları
6. Hafta Bipolar Jonksiyon Transistörler (BJT)
7. Hafta BJT Devrelerinin Doğru Akım (DC) Analizi
8. Hafta Alan Etkili Transistörler (FET)
9. Hafta FET Devrelerinin Doğru Akım (DC) Analizi
10. Hafta Transistörlü Yükselteçlerin Temel İlkeleri
11. Hafta Küçük İşaret Çalışması ve Küçük İşaret Modelleri
12. Hafta Transistörlü Yükselteçlerin Temel Yapılandırmaları
13. Hafta Transistörlü Yükselteçlerin Temel Yapılandırmaları
14. Hafta Çok Katlı (Çok Kademeli) Transistörlü Yükselteçler
15. Hafta
16. Hafta
KaynaklarDers kitabı
1. Donald A. Neamen, Microelectronics: Circuit Analysis and Design, McGraw-Hill Education
2. Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky, Electronic Devices and Circuit Theory, Pearson
Diğer Kaynaklar
3. Sedra & Smith, Microelectronic Circuits, Oxford University Press
4. Richard C. Jaeger and Travis N. Blalock, Microelectronic Circuit Design, McGraw-Hill Education
Öğretim Yöntemleri
  • Anlatım
  • Soru-Cevap
  • Sorun/Problem Çözme
  • Deney
  • Rapor Hazırlama
Değerlendirme
Sayısı Toplam Katkısı (%)
Ara Sınav 1 35
Uygulama/Pratik 9 25
Toplam(%) 60
Yıl İçinin Başarıya Oranı(%) 60
Finalin Başarıya Oranı(%) 40
Toplam(%) 100
AKTS İş Yükü
Aktivite Sayı Süre (Saat) İş Yükü
Ara Sınav 1 2 2
Kısa Sınavlara hazırlık 2 4 8
Sınıf Dışı Ders Çalışma Süresi 13 4 52
Final Sınavına Hazırlık 1 15 15
Ders Saati 14 4 56
Ara Sınava Hazırlık 1 10 10
Laboratuvar 1 5 5
Final Sınavı 1 2 2
Ödevler 4 15 60
Toplam İş Yükü210
Toplam İş Yükü / 307
Dersin AKTS Kredisi7
Dilİngilizce
Staj / UygulamaYok
Ö1 Ö2 Ö3 Ö4 Ö5
P1 X X X
P2 X X X
P3 X
P4 X X X
P5 X
P6
P7
P8
P9 X
P10
P11